romotion im Bereich Prozesstechnologie - neuartige digitale III-V-Halbleiterkonzepte

Stellenbeschreibung

Die Anforderungen an zukünftige digitale Systeme wachsen rasant: Höhere Bitraten und steigende Leistungsfähigkeit erfordern neue Halbleiterkonzepte. Eine Schlüsseltechnologie hierfür sind skalierte High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) auf Gallium-Nitrid-Basis (GaN), die neue Möglichkeiten für digitale Höchstfrequenzschaltungen und leistungsfähige Verstärker eröffnen.

Im Rahmen dieser Promotion erforschen Sie innovative GaN-HEMT-Technologien und leisten einen Beitrag zur Entwicklung der nächsten Generation digitaler III-V-Halbleiterbauelemente. Ziel Ihrer wissenschaftlichen Arbeit ist es, ein tiefes qualitatives und quantitatives Verständnis neuartiger Prozessmodule – insbesondere in den Bereichen Ätztechnologie, Lithografie, Epitaxie und Bauelemententwicklung – zu gewinnen und diese gezielt weiterzuentwickeln.

Hier sorgen Sie für Veränderung

Sie entwickeln und betreiben Prozessierungsverfahren in einer fortgeschrittenen Reinraumumgebung und unterstützen die Epitaxie sowie die Simulation neuartiger Halbleiterbauelemente.
Dabei beschäftigen Sie sich unter anderem mit GaN-HEMT-Bauelementen, digitalen Grundschaltungen sowie deren Integration in komplexe Verstärkersysteme.
Gemeinsam mit Ihren Kolleg*innen entwickeln Sie skalierte Prozessmodule weiter und optimieren deren Abläufe und Funktionalität.
Ihre Arbeit ist in spannende nationale und internationale Forschungsprojekte eingebunden, in denen Sie mit Partnern aus Wissenschaft und Industrie zusammenarbeiten.

Hiermit bringen Sie sich ein

Erfolgreich abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master oder Diplom) in Physik, Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik oder einer vergleichbaren Fachrichtung.
Grundlegende Kenntnisse im Bereich der Halbleiterbauelemente, Festkörperphysik oder Mikro- und Nanotechnologie sowie Interesse an elektronischen Halbleiterbauelementen, deren Prozesstechnologie oder Epitaxie
Idealerweise erste praktische Erfahrungen in der Reinraumprozessierung oder der III-V-Halbleitertechnologie
Selbstständige, strukturierte und wissenschaftliche Arbeitsweise sowie die Fähigkeit, sich schnell in neue Fragestellungen einzuarbeiten
Sehr gute Deutschkenntnisse sowie gute Englischkenntnisse für die Zusammenarbeit in einem internationalen Umfeld
Team- und Kommunikationsfähigkeit sowie Freude an experimenteller Forschungsarbeit