Promotion im Bereich GaN-Schaltungen für höchste Leistung

Stellenbeschreibung

Am Fraunhofer IAF entwickeln wir Zukunftstechnologien entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und für maßgeschneiderte synthetische Diamanten. Von Hochfrequenztechnik und Elektromobilität bis zu Laser- und Quantentechnologien: Wir entwickeln Innovationen aus einer Hand – für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft.

Die Abteilung Mikroelektronik (ME) entwirft mikroelektronische Bauelemente und Schaltungen für Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik. Auf Basis der Hochfrequenzmodule werden Systeme für Sensorik, Kommunikationstechnik und Leistungselektronik entwickelt. Darüber hinaus sind wir mit modernster Messtechnik bestens ausgestattet.

Hier sorgen Sie für Veränderung

Nutzen Sie unsere weltweit führende GaN-Technologie, um Hochleistungssysteme der nächsten Generation zu entwickeln. Im Rahmen Ihrer Promotion entwerfen Sie auf Basis unseres 100-V-GaN-Prozesses integrierte Hochfrequenzschaltungen (MMICs) für unterschiedlichste Kommunikations- und Radaranwendungen, die höchste Leistung und maximale Effizienz erfordern.

Zu Ihren Aufgaben gehören:

Sie entwerfen integrierte Hochfrequenzschaltungen auf Basis unserer weltweit führenden 100-V-GaN-HEMT-Technologie für Anwendungen bis 12 GHz.
Sie optimieren Bauelemente hinsichtlich ihrer HF-Performance für Betriebsspannungen bis zu 200 V und erforschen innovative Entwärmungskonzepte, beispielsweise Diamant-Topside-Cooling.
Mithilfe von EM-Feldanalysen analysieren Sie die Eigenschaften von GaN-HEMTs und entwickeln unsere Simulationsmethodik kontinuierlich weiter.
Sie begleiten Entwicklungsprozesse von der Entwurfsphase bis zur messtechnischen Charakterisierung – mit viel Raum für eigene Ideen.
Darüber hinaus führen Sie Messungen durch, werten die Ergebnisse aus und publizieren diese in renommierten Fachzeitschriften und präsentieren sie auf internationalen Konferenzen.

Hiermit bringen Sie sich ein

Abgeschlossenes Studium (Diplom oder Master) in Elektro-, Mikrosystem- oder Nachrichtentechnik oder Physik
Sicherer Umgang mit Schaltungs- und EM-Simulationsprogrammen (z. B. ADS, CST, HFSS)
Fachwissen in der messtechnischen Charakterisierung von Halbleiterbauelementen, z. B. mittels S-Parameter- und Load-Pull-Messungen
Verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse
Teamfähigkeit, Kommunikationsstärke sowie eine selbstständige wissenschaftliche Arbeitsweise